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项目介绍:

CINNO Research 产业资讯,今年1月,英国谢菲尔德大学成立了一家分拆公司EpiPix,以开发和商业化用于增强和虚拟现实设备智能手表手机等产品显示面板的Micro-LED技术。



谢菲尔德大学的分拆公司EpiPix将向业界提供超高亮度,超小型Micro-LED阵列

根据外媒Compound Semiconductor报道,基于谢菲尔德大学氮化镓材料和器件中心Wang Tao教授多年的GaN半导体研究成果,EpiPix公司已经展示了单晶圆Micro-LED阵列原型产品,这些Micro-LED像素的尺寸从30微米到5微米不等。

自从苹果公司首投20亿美元用于Micro-LED开发,从Plessey和Glo到Lumens和Sharp的无数公司已经陆续向市场展示了基于CMOS驱动背板的微型显示器,相关专利申请也越来越多。
 
“我们已经与AR / VR应用的主要终端客户,智能手机手表的制造商以及LiFi技术公司进行了讨论,”EpiPix的首席执行官Dennis Camilleri兴奋地说道,“对于许多应用而言,关键的技术驱动因素是小尺寸Micro-LED显示器,它们可以为用户提供高分辨率,高亮度的显示效果。我们将开发尺寸小于5微米的Micro-LED,这是这些公司所特别感兴趣的。”

一种直接的Micro-LED制作方法普通III型氮化物Micro-LED是使用标准光刻工艺制造的,这之后需要进行干法蚀刻。不过,干法蚀刻会造成对Micro-LED表面的损伤,特别是较小尺寸的Micro-LED。这种损伤会降低Micro-LED的光学性能,比如LED的内外量子效率。也正是因为此,业界人士都在努力制造高亮度、五微米尺寸以下的Micro-LED。

鉴于此,Wang及其同事决定采用一种完全不同的方法,他们在过去五年一直在开发一种直接外延的方法。使用这种方法制造超小且超亮的InGaN Micro-LED,可以免去干法蚀刻工艺。

在这种方法中,开发人员将n-GaN层生长在硅或蓝宝石衬底上,以生成一种生长中的n-GaN模板。接着,开发人员会将SiO2膜生长在特定n-GaN层上,该n-GaN层具有所需Micro-LED形状和直径的孔阵列。再接下来,开发人员便可以将LED结构生长到此预图案化的SiO2微孔阵列模板上,以生成Micro-LED阵列。

这里有一点非常重要,这种方法使用标准的MOCVD工艺。另外,该Micro-LED阵列通过设计可以与任何现有的微型显示器制造技术兼容,包括拾放(Pick-and-Place)技术和巨量转移(Mass Transfer)技术。
 
“ Wang的工艺不涉及干法蚀刻,其损伤以及相应的光学性能下降可以规避,所以我们的Micro-LED阵列可以获得非常好的外量子效率,”Camilleri说,“这就是我们的技术获得如此多市场关注的原因。”

实际上,在今年早些时候,Wang及其同事就已经推出过高亮度的绿色Micro-LED阵列裸芯片,其直径为3.6微米,间距Pitch为2微米,外量子效率创纪录地达到了6%。据Camilleri谈到,研究人员已经制造出了蓝色的Micro-LED,并且还在开发红色的Micro-LED,另外EpiPix也在做一些封装芯片的开发工作。

他说:“对于非常小的绿色Micro-LED,6%的外量子效率创造了世界纪录。我们没有使用任何反射层,也没有进行任何额外的处理,这些是从Micro-LED阵列发出的纯光。”


那么EpiPix呢?正如Camilleri所指出的那样,这家初创公司以商业技术中心的商业模式运作,可以根据终端客户的要求进行产品开发,测试和设备性能验证。

“ EpiPix获得了谢菲尔德大学在全球范围内的商业IP专有许可……当客户基于我们的Micro-LED技术扩大生产时,EpiPix可以将IP许可给他们,”Camilleri补充说道,“我们将试行组装,生产和包装,以确保应用正常运行,不过我们不是Micro-LED的批量供应商。”

到目前为止,EpiPix已经可以在两英寸的晶圆上进行这种Micro-LED的制造,现在可以将其进一步沉积到四英寸或六英寸的衬底上。在接下来的18个月乃至两年内,他们将专注于产品开发,测试版原型制作,测试以及向客户提供样品。借助现有工艺和设备的验证,这些Micro-LED晶圆在未来可以实现大批量生产。

“这些Micro-LED器件还可用于LiFi应用中的高速数据传输过程,但我希望第一个应用是AR/VR以及智能手表和手机产品,” Camilleri说,“在接下来的两年内,我希望可以将这种Micro-LED阵列产品销售给至少六家全球公司。”



事宜人群:
产品详情

EpiPix|开发超高亮度,超小型Micro-LED,有望应用终端智能设备

EpiPix|开发超高亮度,超小型Micro-LED,有望应用终端智能设备

CINNO Research 产业资讯,今年1月,英国谢菲尔德大学成立了一家分拆公司EpiPix,以开发和商业化用于增强和虚拟现实设备智能手表手机等产品显示面板的Micro-LED技术。


EpiPix|开发超高亮度,超小型Micro-LED,有望应用终端智能设备
谢菲尔德大学的分拆公司EpiPix将向业界提供超高亮度,超小型Micro-LED阵列

根据外媒Compound Semiconductor报道,基于谢菲尔德大学氮化镓材料和器件中心Wang Tao教授多年的GaN半导体研究成果,EpiPix公司已经展示了单晶圆Micro-LED阵列原型产品,这些Micro-LED像素的尺寸从30微米到5微米不等。

自从苹果公司首投20亿美元用于Micro-LED开发,从Plessey和Glo到Lumens和Sharp的无数公司已经陆续向市场展示了基于CMOS驱动背板的微型显示器,相关专利申请也越来越多。
 
“我们已经与AR / VR应用的主要终端客户,智能手机手表的制造商以及LiFi技术公司进行了讨论,”EpiPix的首席执行官Dennis Camilleri兴奋地说道,“对于许多应用而言,关键的技术驱动因素是小尺寸Micro-LED显示器,它们可以为用户提供高分辨率,高亮度的显示效果。我们将开发尺寸小于5微米的Micro-LED,这是这些公司所特别感兴趣的。”

一种直接的Micro-LED制作方法普通III型氮化物Micro-LED是使用标准光刻工艺制造的,这之后需要进行干法蚀刻。不过,干法蚀刻会造成对Micro-LED表面的损伤,特别是较小尺寸的Micro-LED。这种损伤会降低Micro-LED的光学性能,比如LED的内外量子效率。也正是因为此,业界人士都在努力制造高亮度、五微米尺寸以下的Micro-LED。

鉴于此,Wang及其同事决定采用一种完全不同的方法,他们在过去五年一直在开发一种直接外延的方法。使用这种方法制造超小且超亮的InGaN Micro-LED,可以免去干法蚀刻工艺。

在这种方法中,开发人员将n-GaN层生长在硅或蓝宝石衬底上,以生成一种生长中的n-GaN模板。接着,开发人员会将SiO2膜生长在特定n-GaN层上,该n-GaN层具有所需Micro-LED形状和直径的孔阵列。再接下来,开发人员便可以将LED结构生长到此预图案化的SiO2微孔阵列模板上,以生成Micro-LED阵列。

这里有一点非常重要,这种方法使用标准的MOCVD工艺。另外,该Micro-LED阵列通过设计可以与任何现有的微型显示器制造技术兼容,包括拾放(Pick-and-Place)技术和巨量转移(Mass Transfer)技术。
 
“ Wang的工艺不涉及干法蚀刻,其损伤以及相应的光学性能下降可以规避,所以我们的Micro-LED阵列可以获得非常好的外量子效率,”Camilleri说,“这就是我们的技术获得如此多市场关注的原因。”

实际上,在今年早些时候,Wang及其同事就已经推出过高亮度的绿色Micro-LED阵列裸芯片,其直径为3.6微米,间距Pitch为2微米,外量子效率创纪录地达到了6%。据Camilleri谈到,研究人员已经制造出了蓝色的Micro-LED,并且还在开发红色的Micro-LED,另外EpiPix也在做一些封装芯片的开发工作。

他说:“对于非常小的绿色Micro-LED,6%的外量子效率创造了世界纪录。我们没有使用任何反射层,也没有进行任何额外的处理,这些是从Micro-LED阵列发出的纯光。”

EpiPix|开发超高亮度,超小型Micro-LED,有望应用终端智能设备

那么EpiPix呢?正如Camilleri所指出的那样,这家初创公司以商业技术中心的商业模式运作,可以根据终端客户的要求进行产品开发,测试和设备性能验证。

“ EpiPix获得了谢菲尔德大学在全球范围内的商业IP专有许可……当客户基于我们的Micro-LED技术扩大生产时,EpiPix可以将IP许可给他们,”Camilleri补充说道,“我们将试行组装,生产和包装,以确保应用正常运行,不过我们不是Micro-LED的批量供应商。”

到目前为止,EpiPix已经可以在两英寸的晶圆上进行这种Micro-LED的制造,现在可以将其进一步沉积到四英寸或六英寸的衬底上。在接下来的18个月乃至两年内,他们将专注于产品开发,测试版原型制作,测试以及向客户提供样品。借助现有工艺和设备的验证,这些Micro-LED晶圆在未来可以实现大批量生产。

“这些Micro-LED器件还可用于LiFi应用中的高速数据传输过程,但我希望第一个应用是AR/VR以及智能手表和手机产品,” Camilleri说,“在接下来的两年内,我希望可以将这种Micro-LED阵列产品销售给至少六家全球公司。”



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