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项目介绍:

CINNO Research 产业资讯,美国半导体设备厂商Lam Research开发出通过化学反应制作极紫外光刻胶(EUV PR)薄膜的技术。通过该技术比在晶圆上涂液体光刻胶,能实现更高的分辨率并节减费用。目前在液体EUV PR和涂布市场主要被日本厂商垄断。预计三星电子等受日本出口限制EUV PR供应受影响的韩国半导体厂商对该技术将会比较关注。



根据韩媒ETNews报道,Lam Research在26日由国际光工学会(SPIE)在美国圣何塞举行的尖端曝光工程学会上介绍了“Dry resist”技术。该技术由Lam Research与荷兰曝光设备厂商ASML,比利时半导体研究中心IMEC共同开发而出。

Dry resist用于作为半导体核心技术的曝光工程之前。通过光反复刻录半导体电路的曝光工程进行之前,半导体厂商会在晶圆上涂抹与光反应的液体光刻胶。目前通过旋转涂布的方式进行光刻胶涂布。旋转晶圆的同时,利用将液体光刻胶滴几滴到晶圆上可以形成均匀厚度的Track设备。该设备主要由日本TEL生产。

但随着进入EUV曝光工程时代,液体光刻胶的缺陷开始凸显出来。这是因为随着EUV光源能量比目前的氟化氩(ArF)光源能量大10倍以上,在光刻胶中会产生无法预料的物质。

Lam Research为了解决这一问题,从在晶圆上堆叠薄层的核心前工程-“蒸镀”中获得灵感,首次开发出光刻胶薄膜形成工艺。


Lam Research的EUV PR蒸镀设备专利报告书中描写的设备图片
 
根据Lam Research申请的专利,采用了不同于目前采用的旋转涂布方式,是通过在箱内诱发化学反应形成薄膜的化学气相蒸镀法(CVD)或原子层蒸镀法(ALD)制作光刻胶。因为不是液体形态而是通过化学反应制作膜,所以不是称为“湿式”,而是“Dry(干式)”的resist。Lam Research方面说明称,“不仅开发出了材料技术,也开发出了从目前蒸镀设备变形的设备。

Lam Research利用该方法可以减少照射剂量,形成分辨率更高的薄膜,可以更准确地在EUV上刻录半导体电路。

另外有一个大的优势是,相对目前的方式,费用可以大幅节减。目前的EUV PR旋转涂布方式随着晶圆旋转溅出的光刻胶会造成大量的浪费。但是,Lam Research的设备因为是采用化学反应制作成膜,消耗量可以节减1/5~1/10左右。 

Lam Research公司的研究员

虽然还不了解Lam Research的技术成熟度,预计该设备商用化的时候,将会给目前的市场格局带来变化。有可能成为日本从去年7月限制对韩出口EUV PR的代替材料和设备。在EUV PR市场上,JSR,TOK和Shin-Etsu等占据90%以上市占率。

业界相关人士称“Lam Research意图与日本EUV材料展开竞争”,并称“因为日本日本去年对韩实行出口限制,预计韩国半导体厂商将积极测试和使用该技术。


事宜人群:
产品详情

Lam Research|开发出通过化学反应制作EUV PR薄膜技术

Lam Research|开发出通过化学反应制作EUV PR薄膜技术

CINNO Research 产业资讯,美国半导体设备厂商Lam Research开发出通过化学反应制作极紫外光刻胶(EUV PR)薄膜的技术。通过该技术比在晶圆上涂液体光刻胶,能实现更高的分辨率并节减费用。目前在液体EUV PR和涂布市场主要被日本厂商垄断。预计三星电子等受日本出口限制EUV PR供应受影响的韩国半导体厂商对该技术将会比较关注。


Lam Research|开发出通过化学反应制作EUV PR薄膜技术
根据韩媒ETNews报道,Lam Research在26日由国际光工学会(SPIE)在美国圣何塞举行的尖端曝光工程学会上介绍了“Dry resist”技术。该技术由Lam Research与荷兰曝光设备厂商ASML,比利时半导体研究中心IMEC共同开发而出。

Dry resist用于作为半导体核心技术的曝光工程之前。通过光反复刻录半导体电路的曝光工程进行之前,半导体厂商会在晶圆上涂抹与光反应的液体光刻胶。目前通过旋转涂布的方式进行光刻胶涂布。旋转晶圆的同时,利用将液体光刻胶滴几滴到晶圆上可以形成均匀厚度的Track设备。该设备主要由日本TEL生产。

但随着进入EUV曝光工程时代,液体光刻胶的缺陷开始凸显出来。这是因为随着EUV光源能量比目前的氟化氩(ArF)光源能量大10倍以上,在光刻胶中会产生无法预料的物质。

Lam Research为了解决这一问题,从在晶圆上堆叠薄层的核心前工程-“蒸镀”中获得灵感,首次开发出光刻胶薄膜形成工艺。

Lam Research|开发出通过化学反应制作EUV PR薄膜技术


Lam Research的EUV PR蒸镀设备专利报告书中描写的设备图片
 
根据Lam Research申请的专利,采用了不同于目前采用的旋转涂布方式,是通过在箱内诱发化学反应形成薄膜的化学气相蒸镀法(CVD)或原子层蒸镀法(ALD)制作光刻胶。因为不是液体形态而是通过化学反应制作膜,所以不是称为“湿式”,而是“Dry(干式)”的resist。Lam Research方面说明称,“不仅开发出了材料技术,也开发出了从目前蒸镀设备变形的设备。

Lam Research利用该方法可以减少照射剂量,形成分辨率更高的薄膜,可以更准确地在EUV上刻录半导体电路。

另外有一个大的优势是,相对目前的方式,费用可以大幅节减。目前的EUV PR旋转涂布方式随着晶圆旋转溅出的光刻胶会造成大量的浪费。但是,Lam Research的设备因为是采用化学反应制作成膜,消耗量可以节减1/5~1/10左右。 

Lam Research|开发出通过化学反应制作EUV PR薄膜技术
Lam Research公司的研究员

虽然还不了解Lam Research的技术成熟度,预计该设备商用化的时候,将会给目前的市场格局带来变化。有可能成为日本从去年7月限制对韩出口EUV PR的代替材料和设备。在EUV PR市场上,JSR,TOK和Shin-Etsu等占据90%以上市占率。

业界相关人士称“Lam Research意图与日本EUV材料展开竞争”,并称“因为日本日本去年对韩实行出口限制,预计韩国半导体厂商将积极测试和使用该技术。


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