MENU
项目介绍:

CINNO Research产业资讯,由于新冠肺炎在全球范围内蔓延,波及世界经济。国际货币基金组织(IMF)在近期公布的报告中指出,2020年全球经济增长率预计为-4.9%。据预测,韩国经济也会不可避免地出现负增长(-2.1%)。


但是,三星电子、SK海力士这些韩国的半导体巨头却依旧按照计划积极进行设备投资。

 

三星电子继续投资存储半导体


推进扩产的三星·中国西安第二工厂(图片来源:三星电子)

 

在2019年年末三星电子就已经积极致力于对DRAM和NAND闪存进行设备投资。这是因为韩国三星电子认为2019年的不景气半导体市场之后、2020年存储半导体需求肯定会出现恢复。


三星电子表示,2020年计划将DRAM和NAND闪存的产能分别提高5万个/月、6.5万个/月(都以12英寸晶圆为基准),且计划在韩国平泽工厂(P1+P2)增产DRAM,在中国西安工厂增产NAND闪存。


据韩国的半导体行业的相关人士透露,2020年1月-3月期间,西安工厂已经成功导入月产2万个的设备,平泽的DRAM产线也在筹备中。且安排约200名工程师分批乘坐专机去西安工厂,为量产做准备。


据说由于新冠肺炎,设备的导入也不可避免地受到了一定影响。三星电子为了把对设备导入的影响降至最小,采取了各种措施。例如,将原计划出货给西安工厂的材料,优先出货给物流情况相对稳定的平泽工厂。

 

SK海力士7月份开始在中国无锡工厂导入新设备


SK海力士的主力工厂--利川工厂M14.(图片来源:SK海力士)

 

 SK海力士也已经重启对存储半导体的积极设备投资。计划对中国无锡工厂(C2F)投资约3.2兆韩元(约人民币171.42亿元)。SK海力士计划在C2F工厂的空余空间内建设月产能达到3万个的DRAM 产线,自2020年7月已经开始导入设备。


 SK海力士计划以保守的态度实施最初制定的投资计划,出于对存储半导体市场会复苏的判断,再次启动投资。此外,原计划自2021年1月起,对利川工厂(京畿道)的M16进行设备投资,现在计划在2020年之内完成设备导入,且正与设备厂家进行调整。此外,SK海力士计划将DRAM产线(利川)的增产规模从原来的2万个提高至3万个,此外,已经在推进将NAND闪存(清州)的产能提高5,000个。

 

DRAM出现了一时的供需紧张现象


如上所述,尽管出现了新冠肺炎这一前所未有的危机,两家韩国巨头半导体厂家依然积极进行设备投资,其主要原因是他们都对存储半导体市场持有积极的态度。首先,虽然受新冠肺炎影响全球经济出现低迷,服务器和PC方向的DRAM需求却在增长。此外,以互联网为中心的居家办公、在线教育、业余活动、在线购物等的大量出现,促使服务器、PC的销售增多,从而带动了DRAM的需求增长。


最近DRAM出现了供不应求的现象,且在持续。两家韩国半导体巨头的库存水准均低于景气时约2-3周左右。运营大型服务器、数据中心的线上服务企业(Online Service)对于DRAM的需求猛增。


这种倾向不仅存在于韩国厂家,台湾的DRAM厂家---南亚科技同样如此。由于新冠肺炎的到来,促使在线教育、居家办公、在线购物等不断普及,因此促进了2020年1月-3月期间的业绩增长。


新冠肺炎虽然使全球经济充满了不确定性,但很多因素却促进了半导体需求增长,因此三星电子和SK海力士才继续进行积极的投资。某位熟悉韩国半导体行业的分析人士指出,“从两家韩国半导体巨头的投资计划来看,可以说他们对半导体市况持有乐观态度”。


关键节点在2020年下半年。4月-6月期间半导体市场情况保持良好,这种“良好的情况”到底会持续到什么时候,令人担心!南亚科技在1月-3月期间的业绩说明会上表示,存储半导体将会在4月-6月和7月-9月期间继续保持稳定的增长。

 

韩国通过EUV技术与中国厂家拉开距离


两家韩国半导体巨头在DRAM领域的“王牌”是极紫外光刻(EUV)工艺。据说中国新兴企业已经开始量产用于普通PC的DRAM,为了摆脱中国厂商的穷追猛赶,韩国厂家正在实施“差异性战略”。随着数据技术的高度化发展,需要在DRAM的有限面积上迅速存储、处理大量的信息,并且这一需求在日益突出。


三星电子于2020年四月成功生产了100万个采用了EUV技术的10纳米通用DRAM(1x)。之所以将EUV技术应用于1xDRAM,是出于测试的目的。真正要采用EUV技术的产品是计划在2021年量产的第四代(4G)10纳米DRAM(1a)。就1a产品的工艺而言,是将EUV技术灵活运用在位线(Bit Line,将信息向外部输送)的生产中。据说,三星已经将EUV应用于现有的工序中(据说是2-3层)。


此外,SK海力士也在准备将EUV技术应用于DRAM生产。SK海力士已经在利川总部工厂导入了约2台EUV曝光设备,用于研究开发,目标是在2021年通过EUV技术批量生产DRAM。


三星电子计划在2020年下半年完成平泽工厂的EUV专用产线(被称为“P-EUV”)。1x的测试虽然在华城工厂(V1产线)进行,而1a产品计划在平泽的P-EUV生产,目的建成EUV技术的DRAM专用生产据点。


SK海力士的利川新产线(M16)计划在2020年10月建成,且计划导入EUV。M16产线计划在2021年上半年量产。

 

“中国制造2025”让韩国产生了紧张感


在2019年末,两家韩国的巨型半导体厂家的DRAM、NAND闪存市场占比分别高达72.7%、45.1%。据市场调查公司IHS Markit的资料显示,2020年全球存储半导体市场规模为1,259亿美元(约人民币8,813亿元),2021年预计会增至1,519亿美元(约人民币10,633亿元)。


然而,近年来由于中国提出了“半导体崛起(中国制造2025)”战略,中国半导体企业不断崛起,这让韩国企业产生了紧张感。


比方说,中国的长鑫存储(CXMT)宣布,在2020年上半年量产用于PC的DDR4 DRAM。由于DDR4是目前最常用的DRAM半导体的规格,因此,相关产品的量产也意味着中国企业已经对韩国厂家形成了威胁。换句话说,正是因为有这样的竞争环境,韩国厂家才急于采用EUV工艺。


上文中提到的分析师还表示,“EUV工艺是目前中国厂家无法模仿的先进技术”,“率先采用EUV工艺,能够为要求较高的数据中心提供优质的DRAM”。

事宜人群:
产品详情

持续扩大投资的韩国半导体厂家,通过微缩化技术拉大与中国厂家的差距

持续扩大投资的韩国半导体厂家,通过微缩化技术拉大与中国厂家的差距

CINNO Research产业资讯,由于新冠肺炎在全球范围内蔓延,波及世界经济。国际货币基金组织(IMF)在近期公布的报告中指出,2020年全球经济增长率预计为-4.9%。据预测,韩国经济也会不可避免地出现负增长(-2.1%)。


但是,三星电子、SK海力士这些韩国的半导体巨头却依旧按照计划积极进行设备投资。

 

三星电子继续投资存储半导体


持续扩大投资的韩国半导体厂家,通过微缩化技术拉大与中国厂家的差距

推进扩产的三星·中国西安第二工厂(图片来源:三星电子)

 

在2019年年末三星电子就已经积极致力于对DRAM和NAND闪存进行设备投资。这是因为韩国三星电子认为2019年的不景气半导体市场之后、2020年存储半导体需求肯定会出现恢复。


三星电子表示,2020年计划将DRAM和NAND闪存的产能分别提高5万个/月、6.5万个/月(都以12英寸晶圆为基准),且计划在韩国平泽工厂(P1+P2)增产DRAM,在中国西安工厂增产NAND闪存。


据韩国的半导体行业的相关人士透露,2020年1月-3月期间,西安工厂已经成功导入月产2万个的设备,平泽的DRAM产线也在筹备中。且安排约200名工程师分批乘坐专机去西安工厂,为量产做准备。


据说由于新冠肺炎,设备的导入也不可避免地受到了一定影响。三星电子为了把对设备导入的影响降至最小,采取了各种措施。例如,将原计划出货给西安工厂的材料,优先出货给物流情况相对稳定的平泽工厂。

 

SK海力士7月份开始在中国无锡工厂导入新设备


持续扩大投资的韩国半导体厂家,通过微缩化技术拉大与中国厂家的差距

SK海力士的主力工厂--利川工厂M14.(图片来源:SK海力士)

 

 SK海力士也已经重启对存储半导体的积极设备投资。计划对中国无锡工厂(C2F)投资约3.2兆韩元(约人民币171.42亿元)。SK海力士计划在C2F工厂的空余空间内建设月产能达到3万个的DRAM 产线,自2020年7月已经开始导入设备。


 SK海力士计划以保守的态度实施最初制定的投资计划,出于对存储半导体市场会复苏的判断,再次启动投资。此外,原计划自2021年1月起,对利川工厂(京畿道)的M16进行设备投资,现在计划在2020年之内完成设备导入,且正与设备厂家进行调整。此外,SK海力士计划将DRAM产线(利川)的增产规模从原来的2万个提高至3万个,此外,已经在推进将NAND闪存(清州)的产能提高5,000个。

 

DRAM出现了一时的供需紧张现象


如上所述,尽管出现了新冠肺炎这一前所未有的危机,两家韩国巨头半导体厂家依然积极进行设备投资,其主要原因是他们都对存储半导体市场持有积极的态度。首先,虽然受新冠肺炎影响全球经济出现低迷,服务器和PC方向的DRAM需求却在增长。此外,以互联网为中心的居家办公、在线教育、业余活动、在线购物等的大量出现,促使服务器、PC的销售增多,从而带动了DRAM的需求增长。


最近DRAM出现了供不应求的现象,且在持续。两家韩国半导体巨头的库存水准均低于景气时约2-3周左右。运营大型服务器、数据中心的线上服务企业(Online Service)对于DRAM的需求猛增。


这种倾向不仅存在于韩国厂家,台湾的DRAM厂家---南亚科技同样如此。由于新冠肺炎的到来,促使在线教育、居家办公、在线购物等不断普及,因此促进了2020年1月-3月期间的业绩增长。


新冠肺炎虽然使全球经济充满了不确定性,但很多因素却促进了半导体需求增长,因此三星电子和SK海力士才继续进行积极的投资。某位熟悉韩国半导体行业的分析人士指出,“从两家韩国半导体巨头的投资计划来看,可以说他们对半导体市况持有乐观态度”。


关键节点在2020年下半年。4月-6月期间半导体市场情况保持良好,这种“良好的情况”到底会持续到什么时候,令人担心!南亚科技在1月-3月期间的业绩说明会上表示,存储半导体将会在4月-6月和7月-9月期间继续保持稳定的增长。

 

韩国通过EUV技术与中国厂家拉开距离


两家韩国半导体巨头在DRAM领域的“王牌”是极紫外光刻(EUV)工艺。据说中国新兴企业已经开始量产用于普通PC的DRAM,为了摆脱中国厂商的穷追猛赶,韩国厂家正在实施“差异性战略”。随着数据技术的高度化发展,需要在DRAM的有限面积上迅速存储、处理大量的信息,并且这一需求在日益突出。


三星电子于2020年四月成功生产了100万个采用了EUV技术的10纳米通用DRAM(1x)。之所以将EUV技术应用于1xDRAM,是出于测试的目的。真正要采用EUV技术的产品是计划在2021年量产的第四代(4G)10纳米DRAM(1a)。就1a产品的工艺而言,是将EUV技术灵活运用在位线(Bit Line,将信息向外部输送)的生产中。据说,三星已经将EUV应用于现有的工序中(据说是2-3层)。


此外,SK海力士也在准备将EUV技术应用于DRAM生产。SK海力士已经在利川总部工厂导入了约2台EUV曝光设备,用于研究开发,目标是在2021年通过EUV技术批量生产DRAM。


三星电子计划在2020年下半年完成平泽工厂的EUV专用产线(被称为“P-EUV”)。1x的测试虽然在华城工厂(V1产线)进行,而1a产品计划在平泽的P-EUV生产,目的建成EUV技术的DRAM专用生产据点。


SK海力士的利川新产线(M16)计划在2020年10月建成,且计划导入EUV。M16产线计划在2021年上半年量产。

 

“中国制造2025”让韩国产生了紧张感


在2019年末,两家韩国的巨型半导体厂家的DRAM、NAND闪存市场占比分别高达72.7%、45.1%。据市场调查公司IHS Markit的资料显示,2020年全球存储半导体市场规模为1,259亿美元(约人民币8,813亿元),2021年预计会增至1,519亿美元(约人民币10,633亿元)。


然而,近年来由于中国提出了“半导体崛起(中国制造2025)”战略,中国半导体企业不断崛起,这让韩国企业产生了紧张感。


比方说,中国的长鑫存储(CXMT)宣布,在2020年上半年量产用于PC的DDR4 DRAM。由于DDR4是目前最常用的DRAM半导体的规格,因此,相关产品的量产也意味着中国企业已经对韩国厂家形成了威胁。换句话说,正是因为有这样的竞争环境,韩国厂家才急于采用EUV工艺。


上文中提到的分析师还表示,“EUV工艺是目前中国厂家无法模仿的先进技术”,“率先采用EUV工艺,能够为要求较高的数据中心提供优质的DRAM”。

猜您可能喜欢 / JDCP More