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项目介绍:

CINNO Research产业资讯,AGC(AGC株式会社,总部:东京,社长:岛村琢哉)决定在旗下子公司AGC电子株式会社(总部:福岛县郡山市,社长:佐藤弘昌)扩产用于EUV曝光的光掩模坯(Photo Mask Blanks,以下简称为:“EUV光掩模坯”)。计划今年十月开始扩产(包括扩大厂房),2022年开始生产。


厂房扩大后的AGC电子株式会社的印象图 (图片来源:AGC官网)

 

随着IoT、人工智能(AI)、新一代高速通信(5G)等的普及,对半导体芯片提出高速的运算处理能力、更大的数据储存量、更高度的集成化要求。为满足以上性能,需要半导体芯片的线路图案具有微缩化,而传统的光刻技术( Photolithography,注1)的微缩化是有限的,因此最尖端的微缩化技术--EUV曝光技术(注2)颇受关注。


 AGC自2003年开始研发半导体生产工艺中使用的耗材--EUV光掩模坯(Photo Mask Blanks)。AGC融合自身持有的玻璃材料技术、玻璃加工技术、涂覆技术并推进研发,于2017年开始生产EUV光掩模坯。AGC一直以来都根据市场需求进行必要的投资扩产,为满足未来市场的进一步需求,此次决定继续扩大产能。


AGC作为一家能够处理“玻璃材料”和“涂层技术”的、全球唯一的EUV光掩模坯厂家,将继续根据市场需求构筑生产体制,目标是在2025年获得400多亿日元(约人民币24亿元)的销售额和50%的市场占比。


在经营方针“AGC plus”之下,AGC集团把电子业务定位为战略性事业。未来将继续对需求会出现大幅度增长的EUV光掩模坯业务进行积极投资,为半导体产业的发展做出贡献。


注释:

注1:光刻技术( Photolithography):采用KrF(氟化氪)、ArF(氟化氩)光源,将LSI线路图案绘制到硅晶圆等上的工艺。理论上,很难做到“7纳米代际”的细微图案。

注2:EUV:波长为13.5纳米(1纳米=1米的十亿分之一)的极紫外光刻。


参考:


关于EUV光掩模坯 


“EUV光掩模坯”是一种在低热膨胀玻璃基板表面积层形成含有多种成份的层压薄膜。EUV光掩模是一种在EUV光掩模坯表面上形成半导体芯片原版线路的薄膜,再把线路转移到硅晶圆上、形成半导体芯片。随着线路微缩化的发展,对于EUV光掩模坯提出了诸如以下要求,且要求越来越高。


·尽可能地消除微小缺陷;

·极高的平整度。

EUV光掩模坯 (图片来源:AGC官网)

 

EUV曝光设备概图 (图片来源:AGC官网)

事宜人群:
产品详情

AGC大幅增产用于EUV曝光的光掩模坯(Photo Mask Blanks)

AGC大幅增产用于EUV曝光的光掩模坯(Photo Mask Blanks)

CINNO Research产业资讯,AGC(AGC株式会社,总部:东京,社长:岛村琢哉)决定在旗下子公司AGC电子株式会社(总部:福岛县郡山市,社长:佐藤弘昌)扩产用于EUV曝光的光掩模坯(Photo Mask Blanks,以下简称为:“EUV光掩模坯”)。计划今年十月开始扩产(包括扩大厂房),2022年开始生产。


AGC大幅增产用于EUV曝光的光掩模坯(Photo Mask Blanks)

厂房扩大后的AGC电子株式会社的印象图 (图片来源:AGC官网)

 

随着IoT、人工智能(AI)、新一代高速通信(5G)等的普及,对半导体芯片提出高速的运算处理能力、更大的数据储存量、更高度的集成化要求。为满足以上性能,需要半导体芯片的线路图案具有微缩化,而传统的光刻技术( Photolithography,注1)的微缩化是有限的,因此最尖端的微缩化技术--EUV曝光技术(注2)颇受关注。


 AGC自2003年开始研发半导体生产工艺中使用的耗材--EUV光掩模坯(Photo Mask Blanks)。AGC融合自身持有的玻璃材料技术、玻璃加工技术、涂覆技术并推进研发,于2017年开始生产EUV光掩模坯。AGC一直以来都根据市场需求进行必要的投资扩产,为满足未来市场的进一步需求,此次决定继续扩大产能。


AGC作为一家能够处理“玻璃材料”和“涂层技术”的、全球唯一的EUV光掩模坯厂家,将继续根据市场需求构筑生产体制,目标是在2025年获得400多亿日元(约人民币24亿元)的销售额和50%的市场占比。


在经营方针“AGC plus”之下,AGC集团把电子业务定位为战略性事业。未来将继续对需求会出现大幅度增长的EUV光掩模坯业务进行积极投资,为半导体产业的发展做出贡献。


注释:

注1:光刻技术( Photolithography):采用KrF(氟化氪)、ArF(氟化氩)光源,将LSI线路图案绘制到硅晶圆等上的工艺。理论上,很难做到“7纳米代际”的细微图案。

注2:EUV:波长为13.5纳米(1纳米=1米的十亿分之一)的极紫外光刻。


参考:


关于EUV光掩模坯 


“EUV光掩模坯”是一种在低热膨胀玻璃基板表面积层形成含有多种成份的层压薄膜。EUV光掩模是一种在EUV光掩模坯表面上形成半导体芯片原版线路的薄膜,再把线路转移到硅晶圆上、形成半导体芯片。随着线路微缩化的发展,对于EUV光掩模坯提出了诸如以下要求,且要求越来越高。


·尽可能地消除微小缺陷;

·极高的平整度。

AGC大幅增产用于EUV曝光的光掩模坯(Photo Mask Blanks)

EUV光掩模坯 (图片来源:AGC官网)

 

AGC大幅增产用于EUV曝光的光掩模坯(Photo Mask Blanks)

EUV曝光设备概图 (图片来源:AGC官网)

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