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项目介绍:

韩国研究团队开发出全球首个开发出实现将作为新一代芯片将备受瞩目的硅碳化物(SiC)半导体的静电放电降到最低的技术。


SiC相比传统的硅在高温和高压的情况下有耐受的优势,但缺点是易受到静电的损伤。此次开发大幅改善了SiC芯片的缺点,拓宽了应用领域。

据5日业界消息,檀国大学教授Gu Youngseo研究团队在世界范围内首次研制出基于SiC的金属-氧化物半导体场效应晶体管(简称金氧半场效晶体管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)、SCR结构的新型静电放电(ESD)保护元件。该研究是产业通商资源部新产业创造型动力半导体商业化技术开发工作的一部分。


SiC芯片


SiC是新一代电力半导体材料。SiC半导体拥有3.4eV的宽带带隙(WBG),其带隙比传统硅芯片宽3倍左右。在高温、高功率、高压、强辐射条件等极端环境下,芯片驱动稳定。


还有一个特征是,与传统芯片相比,其尺寸最多可缩减到十分之一。


但有人指出,SiC芯片在物理特性上很容易受到静电造成的芯片损伤。ESD是半导体设计中必须考虑的项目。因为如果ESD现象持续的话,具有高电流密度的芯片就会受到冲击,造成热暴和芯片功能损伤。


通用的硅基芯片在保护ESD方面的研究取得了相当大的进展。然而,基于SiC的ESD保护技术由于技术难度大发展欠佳,需要解决方案。


邱教授研究团队通过MOSFET和SCR的结构性改善,以及新的半导体设计技术,在保持SiC特性的同时,将ESD损伤降到最低。


该研究结果的部分刊登在“电气电子工程师协会(IEEE)”杂志上。评价称,这是未来可以改善基于SiC的集成电路(IC)技术的研究成果。


邱教授称,“随着基于SiC的ESD保护元件的安全动作领域(SOA)的确保,预计应用领域将非常广泛。特别是在电动汽车、可再生能源系统、航天、深度钻探等方面应用的可能性很大。”

事宜人群:
产品详情

韩檀国大学教授研究团队,开发出实现静电放电最小化的SiC芯片技术

韩檀国大学教授研究团队,开发出实现静电放电最小化的SiC芯片技术

韩国研究团队开发出全球首个开发出实现将作为新一代芯片将备受瞩目的硅碳化物(SiC)半导体的静电放电降到最低的技术。


SiC相比传统的硅在高温和高压的情况下有耐受的优势,但缺点是易受到静电的损伤。此次开发大幅改善了SiC芯片的缺点,拓宽了应用领域。

据5日业界消息,檀国大学教授Gu Youngseo研究团队在世界范围内首次研制出基于SiC的金属-氧化物半导体场效应晶体管(简称金氧半场效晶体管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)、SCR结构的新型静电放电(ESD)保护元件。该研究是产业通商资源部新产业创造型动力半导体商业化技术开发工作的一部分。


韩檀国大学教授研究团队,开发出实现静电放电最小化的SiC芯片技术

SiC芯片


SiC是新一代电力半导体材料。SiC半导体拥有3.4eV的宽带带隙(WBG),其带隙比传统硅芯片宽3倍左右。在高温、高功率、高压、强辐射条件等极端环境下,芯片驱动稳定。


还有一个特征是,与传统芯片相比,其尺寸最多可缩减到十分之一。


但有人指出,SiC芯片在物理特性上很容易受到静电造成的芯片损伤。ESD是半导体设计中必须考虑的项目。因为如果ESD现象持续的话,具有高电流密度的芯片就会受到冲击,造成热暴和芯片功能损伤。


通用的硅基芯片在保护ESD方面的研究取得了相当大的进展。然而,基于SiC的ESD保护技术由于技术难度大发展欠佳,需要解决方案。


邱教授研究团队通过MOSFET和SCR的结构性改善,以及新的半导体设计技术,在保持SiC特性的同时,将ESD损伤降到最低。


该研究结果的部分刊登在“电气电子工程师协会(IEEE)”杂志上。评价称,这是未来可以改善基于SiC的集成电路(IC)技术的研究成果。


邱教授称,“随着基于SiC的ESD保护元件的安全动作领域(SOA)的确保,预计应用领域将非常广泛。特别是在电动汽车、可再生能源系统、航天、深度钻探等方面应用的可能性很大。”

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