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项目介绍:

CINNO Research产业资讯,6月1日,东北大学多元物质科学研究所与日本制钢所株式会社和三菱化学株式会社合作,开发出LPAAT(Low-pressure acidic ammonothermal)制作法,可以大规模生产2英寸以上的高纯度氮化镓(GaN)结晶基板。

转换为动力,或放大高波等,像这样的提高转换效率的技,需求旺盛。此,替代传统的硅,采用碳化硅和GaN,金石等新材料生产力控制功率晶体管技术,引起了人的关注。

其中GaN,除了隙(bandgap3.4eV外,由于具有高绝缘断裂电场和快速子速度,因此有望用于在高出和高下工作的型功率晶体管。另一方面,由于很难获GaN晶体管的基——GaN单结晶基板,因此去很制作出低泄漏流并可靠的功率晶体管。

研究团队了新型LPAAT(LPAAT: Low-pressure acidic ammonothermal)方式,作GaN晶基板的方法。与已经实际应用的高界流体氨(ammonia)的酸性ammonothermal法(SCAAT)相比,LPAAT方式晶体是在低下生,因此可以使用相对较小的晶体生炉来大模生大型晶体。  

SCAATGaN种子晶体上使用LPAAT法制作2 inchGaN晶基板,/非称表面的X线锁定曲线的半28秒内,晶体嵌性不高,曲面半径1.5km,基板几乎不弯曲,晶体构造特性良。 

此外,了防止晶体生炉的杂进来,炉的内壁涂有,以减少杂质。在行低温光致还发现GaN激子迁移生的光,实现了优良的晶性能和高度。

使用LPAAT方法,在两种GaN晶体(HVPE、SCAAT)上制作的2inch尺寸的GaN单晶基板(左),以及晶体结构特性和光致发光光谱(右)

次使用新开的LPAAT方法,大口径且弯曲减少,并且可以制造出高度的GaN晶基板,因此有望实现可靠的GaN型功率晶体管的实际应用。研究团队种方法用于内径120mm以上的大型熔炉,推进4英寸以上大口径的良GaN基板的研究,并通过东北大学和筑波大学的特殊量技量化LPAAT方法制造的GaN晶的气特性,以提高性能。  

事宜人群:
产品详情

东北大学、日本制钢所株式会社、三菱化学株式会社合作:研发了制造大型高纯度氮化镓单结晶基板技术

东北大学、日本制钢所株式会社、三菱化学株式会社合作:研发了制造大型高纯度氮化镓单结晶基板技术

CINNO Research产业资讯,6月1日,东北大学多元物质科学研究所与日本制钢所株式会社和三菱化学株式会社合作,开发出LPAAT(Low-pressure acidic ammonothermal)制作法,可以大规模生产2英寸以上的高纯度氮化镓(GaN)结晶基板。

转换为动力,或放大高波等,像这样的提高转换效率的技,需求旺盛。此,替代传统的硅,采用碳化硅和GaN,金石等新材料生产力控制功率晶体管技术,引起了人的关注。

东北大学、日本制钢所株式会社、三菱化学株式会社合作:研发了制造大型高纯度氮化镓单结晶基板技术

其中GaN,除了隙(bandgap3.4eV外,由于具有高绝缘断裂电场和快速子速度,因此有望用于在高出和高下工作的型功率晶体管。另一方面,由于很难获GaN晶体管的基——GaN单结晶基板,因此去很制作出低泄漏流并可靠的功率晶体管。

研究团队了新型LPAAT(LPAAT: Low-pressure acidic ammonothermal)方式,作GaN晶基板的方法。与已经实际应用的高界流体氨(ammonia)的酸性ammonothermal法(SCAAT)相比,LPAAT方式晶体是在低下生,因此可以使用相对较小的晶体生炉来大模生大型晶体。  

SCAATGaN种子晶体上使用LPAAT法制作2 inchGaN晶基板,/非称表面的X线锁定曲线的半28秒内,晶体嵌性不高,曲面半径1.5km,基板几乎不弯曲,晶体构造特性良。 

此外,了防止晶体生炉的杂进来,炉的内壁涂有,以减少杂质。在行低温光致还发现GaN激子迁移生的光,实现了优良的晶性能和高度。

东北大学、日本制钢所株式会社、三菱化学株式会社合作:研发了制造大型高纯度氮化镓单结晶基板技术

使用LPAAT方法,在两种GaN晶体(HVPE、SCAAT)上制作的2inch尺寸的GaN单晶基板(左),以及晶体结构特性和光致发光光谱(右)

次使用新开的LPAAT方法,大口径且弯曲减少,并且可以制造出高度的GaN晶基板,因此有望实现可靠的GaN型功率晶体管的实际应用。研究团队种方法用于内径120mm以上的大型熔炉,推进4英寸以上大口径的良GaN基板的研究,并通过东北大学和筑波大学的特殊量技量化LPAAT方法制造的GaN晶的气特性,以提高性能。  

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