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项目介绍:

CINNO Research产业资讯,国半导体材料厂商S&S Tech加快极紫外线(EUV)核心材料的开发和量产。据悉,该厂商目前在全球市场上还没有实现商业化的EUV用Pellicle产品领域已经具备一定的技术实力。


根据韩媒ETNews业界消息,近日S&S Tech发布公告称,为了EUV工艺的核心材料Blank Mask和Pellicle的开发和量产,公司决定投资100亿韩元(约5849万人民币)。该笔投资规模相当于S&S Tech的资产(885亿韩元)和年销售额(844亿韩元)的11%左右。

S&S Tech是一家以半导体曝光工艺中使用的Blank Mask材料s生产为主的公司。在用光在硅晶片上重复照射电路形状的曝光工艺时,会使用Mask材料使光线能容纳电路形状。将在Mask上刻电路之前的产品称为Blank Mask。

S&S Tech公司已经制造了目前最通用的ArF曝光作业中使用的Blank Mask,并向半导体厂商供应。

公司为应对日益走向半导体精细化的EUV时代,将EUV用Pellicle和Blank Mask作为下一代产品推进

                                 EUV Pellicle
 
尤其是S&S Tech开发的EUV用Pellicle产品目前在全球尚没有实现商业化的案例。如果能够成功量产的话,将会引起业界很大的关注。
 
目前和EUV用Pellicle原理
 
Pellicle指半导体制造用Mask的“保护盖”。可用于提高价格昂贵的Mask的利用率,降低污染度,提高工艺效率。

EUV用Pellicle的技术实现相当困难。EUV曝光与传统的“透光式”曝光不同,是一种“反射式”的曝光。由于可被所有物质吸收的EUV光的独特性质,Mask由反射光的物质组成。

如果EUV的Pellicle要放在Mask前发挥保护Mask的作用,那么透射EUV光的同时还要具有导出的特性。该技术的难度相当高。

但为了提高生产效率,国内外多数企业纷纷投入开发,他们认为“总有一天要实现这种技术”。

据传,目前台湾Foundry厂商TSMC、日本三井化学、加拿大Teledyne等多数海外厂商都致力于EUV Pellicle的开发。

其中,S&S Tech在EUV Pellicle开发方面进展显著。有评价称,EUV光透率达到90%以上就应用于量产线,目前S&S Tech开发的产品透射率为88%。

业内人士表示,“目前实现在量产线上应用还有一段距离,但如果有需求企业提供积极的帮助,预计产品量产将很快实现。”

在此次公告中,S&S Tech发布的投资结束日期为明年6月30日。最早有望在明年下半年实现量产。

另一方面,S&S Tech在目前作为主力产品的ArF用Blank Mask之后,通过技术转让等方式,对EUV用Blank Mask的研究也相当积极。

该领域除了现有强者日本HOYA、AGC Glass外,半导体设备行业排名第一的Applied Materials也投入开发,成为颇有前途的领域。


事宜人群:
产品详情

韩S&S Tech投资5849万元开发量产EUV工艺核心材料

韩S&S Tech投资5849万元开发量产EUV工艺核心材料

CINNO Research产业资讯,国半导体材料厂商S&S Tech加快极紫外线(EUV)核心材料的开发和量产。据悉,该厂商目前在全球市场上还没有实现商业化的EUV用Pellicle产品领域已经具备一定的技术实力。


根据韩媒ETNews业界消息,近日S&S Tech发布公告称,为了EUV工艺的核心材料Blank Mask和Pellicle的开发和量产,公司决定投资100亿韩元(约5849万人民币)。该笔投资规模相当于S&S Tech的资产(885亿韩元)和年销售额(844亿韩元)的11%左右。

S&S Tech是一家以半导体曝光工艺中使用的Blank Mask材料s生产为主的公司。在用光在硅晶片上重复照射电路形状的曝光工艺时,会使用Mask材料使光线能容纳电路形状。将在Mask上刻电路之前的产品称为Blank Mask。

S&S Tech公司已经制造了目前最通用的ArF曝光作业中使用的Blank Mask,并向半导体厂商供应。

公司为应对日益走向半导体精细化的EUV时代,将EUV用Pellicle和Blank Mask作为下一代产品推进

韩S&S Tech投资5849万元开发量产EUV工艺核心材料
                                 EUV Pellicle
 
尤其是S&S Tech开发的EUV用Pellicle产品目前在全球尚没有实现商业化的案例。如果能够成功量产的话,将会引起业界很大的关注。
 
韩S&S Tech投资5849万元开发量产EUV工艺核心材料
目前和EUV用Pellicle原理
 
Pellicle指半导体制造用Mask的“保护盖”。可用于提高价格昂贵的Mask的利用率,降低污染度,提高工艺效率。

EUV用Pellicle的技术实现相当困难。EUV曝光与传统的“透光式”曝光不同,是一种“反射式”的曝光。由于可被所有物质吸收的EUV光的独特性质,Mask由反射光的物质组成。

如果EUV的Pellicle要放在Mask前发挥保护Mask的作用,那么透射EUV光的同时还要具有导出的特性。该技术的难度相当高。

但为了提高生产效率,国内外多数企业纷纷投入开发,他们认为“总有一天要实现这种技术”。

据传,目前台湾Foundry厂商TSMC、日本三井化学、加拿大Teledyne等多数海外厂商都致力于EUV Pellicle的开发。

其中,S&S Tech在EUV Pellicle开发方面进展显著。有评价称,EUV光透率达到90%以上就应用于量产线,目前S&S Tech开发的产品透射率为88%。

业内人士表示,“目前实现在量产线上应用还有一段距离,但如果有需求企业提供积极的帮助,预计产品量产将很快实现。”

在此次公告中,S&S Tech发布的投资结束日期为明年6月30日。最早有望在明年下半年实现量产。

另一方面,S&S Tech在目前作为主力产品的ArF用Blank Mask之后,通过技术转让等方式,对EUV用Blank Mask的研究也相当积极。

该领域除了现有强者日本HOYA、AGC Glass外,半导体设备行业排名第一的Applied Materials也投入开发,成为颇有前途的领域。


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